1 試験片

30μmSUS箔(カプトン裏打)とテフロン被覆銀メッキ銅より線

2 使用機器

HSW-02A スポット溶接機 およびHSW-PC1(パワーコントローラ) HSW-F1N(フットスイッチ)

3 使用電極 HSW-EB1(棒状電極) HSW-P1N(溶接機本体付属溶接ペン)
4 機器設定

電圧 16Vから24V  パルス幅 60μ~180μS

5 溶接状況

HSW-02Aおよび標準添付の溶接ペンとHSW-EB1(棒状電極)を用いました。①棒状電極上に銅より線を置き、電極(溶接ペン)を押し当て数回溶接し、より線をまとめます。②SUS箔に棒状電極を押し当て、銅線の上から溶接ペンを押し当て、1mm間隔で10カ所程度溶接しました。※今回の方法では、SUS箔が薄いため、箔の一部が溶断する状況をどうしても皆無にすることはできませんでした。

6 写真 NA
テスト実施年月:平成21年6月